以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体在电力电子器件和射频器件的应用愈加广泛，市场规模不断扩大。宽禁带半导体凭借其大幅降低电力传输中能源消耗的显著优势，正成为全球半导体行业的研究热点，也是我国能源优化建设布局中的重要一环。宽禁带半导体正在凭借优秀的材料特性迅速崛起，成为“十四五”规划中重点发展的方向和如期实现碳达峰、碳中和的重要抓手。我国宽禁带半导体产业在新能源汽车、储能等下游应用牵引下，产业优势逐渐显现。

“中国芯“优秀产品征集活动持续关注相关趋势，考虑到宽禁带半导体的快速发展、广泛前景和重要意义，2024年第19届“中国芯”优秀产品征集活动增设宽禁带半导体新赛道，以推动宽禁带半导体技术的发展，引导禁带半导体产业生态的形成，促进我国相关产业的发展。

请相关企业积极参与，咨询电话010-68209233